近日，依據《上海市高新技術成果轉化項目認定辦法》（滬科規〔2020〕8 號）等文件精神，上海市科學技術委員會公示了 2024 年第 4 批上海市高新技術成果轉化項目名單，飛锃半導體以其卓越的創新實力和技術領先性，“半導體 SiC Mos 管（ACM 型）項目” 成功獲得認定，標志著飛锃半導體在SiC功率半導體器件領域的技術實力和市場競爭力邁上了新的臺階。

飛锃半導體“半導體SiC Mos管（ACM型）”項目此次獲得認定，是長期致力于SiC功率半導體器件研發、生產管理和銷售的重要成果。飛锃半導體最新一代Gen3B碳化硅MOSFET系列，該系列產品覆蓋市場主流規格需求，包含750V 11/25/40/55mΩ，以及1200V 15/20/30/40/80mΩ等。通過技術與工藝的雙重革新，實現了一致性更好、開關損耗更優、導通特性更為出色的產品，更加適配高可靠性和高性能應用場景，特別是在充電樁、光伏儲能系統以及電動汽車的關鍵部件如車載充電器(OBC)、DC/DC轉換器、電空調壓縮機和主驅系統，提供更貼切客戶端使用的產品，已滿足更加激烈的市場需求。

飛锃半導體車規級SiC MOSFET器件其中包括1200V 30 /70/160mΩ和750V 11/25/40/55mΩ規格，采用了TO247-4和TO263-7封裝形式。在設計、制造和封裝技術上均達到了國際先進水平，通過工藝優化降低了單位晶圓面積內的導通電阻，優化了開關性能，并采用開爾文Source封裝技術，有效提升了器件的開關速度和抗干擾能力。這些技術突破使得飛锃半導體的SiC MOSFET器件在極端運行環境下仍能保持出色的耐受能力和使用壽命，為新能源汽車等高端應用提供了可靠保障。 

飛锃半導體首席執行官周永昌（Tony Chau）表示：“我們非常榮幸“半導體SiC Mos管（ACM型）”項目能夠獲得上海市科學技術委員會的認可。這不僅是對我們技術實力的肯定，也是對我們團隊努力的回報。飛锃半導體將繼續致力于技術創新，推動高性能碳化硅器件的應用與發展，為行業提供更多優質解決方案。”

此次獲得上海市高新技術成果轉化項目認定，不僅是對飛锃半導體技術創新能力的肯定，也是對其市場應用前景的看好。上海市科學技術委員會通過這一認定機制，旨在鼓勵和支持企業提升自主創新能力，促進科技成果轉化，培育創新發展新動能。飛锃半導體作為SiC功率半導體器件領域的佼佼者，其“半導體SiC Mos管（ACM型）”項目的成功認定，無疑將為其未來的發展注入強勁動力。

飛锃半導體將繼續秉承創新驅動發展的理念，不斷加大研發投入，推動技術創新和產業升級。同時，公司也將積極與國內外下游企業合作，共同推動國產新能源汽車轉型及SiC的國產化替代進程，為推動我國半導體產業的快速發展貢獻自己的力量。